用于碳化硅（SiC）刻蚀的电感耦合等离子体（ICP）应用与优化

用于碳化硅（SiC）刻蚀的电感耦合等离子体（ICP）应用与优化

       碳化硅（SiC）凭借其优异的物理和化学性质，在电子应用、传感器、微机电系统（MEMS）以及极高压功率器件等领域展现出巨大的发展潜力。然而，为了实现这些先进结构，需要高效的深蚀刻技术。电感耦合等离子体（ICP）蚀刻作为一种高密度等离子体干蚀刻技术，能够满足碳化硅深蚀刻的需求，实现无残留且高蚀刻速率的加工。

       北京三和联科技有限公司是一家自主研发的国产ICP感应耦合等离子体刻蚀机台的厂家。经过长期工艺验证和客户现场实际应用，在国内积和国际累了大量有效工艺参数和经验，不仅能够实现碳化硅（SiC）的高效精准刻蚀，其他硅基材料，Ⅲ-Ⅴ材料，Ⅱ-Ⅵ材料，磁性材料，金属材料，有机材料均可刻蚀，并可实现硅深刻蚀。

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