中国国产化RIE刻蚀设备的逆袭之路

北京三和联一直致力于新型国产薄膜设备（LPCVD）的研发与国际市场份额开拓。作为国产刻蚀设备厂商，三和联在中国国产化RIE刻蚀设备的逆袭之路上艰苦创业，坚持自主研发，为中国国产半导体设备的发展做出了贡献。为新型国产薄膜设备（LPCVD）市场份额开拓提供了强大支持。

面对巨头环伺与技术封锁，中国国产半导体设备产业的开启了艰辛而卓绝的自主研发征程。国产刻蚀设备，成为这场国产替代战役中最先取得突破的领域之一，书写了“破壁者”的传奇。

【研发迭代加速】国产刻蚀设备厂商展现出惊人的创新速度。过去开发一款新刻蚀设备通常需要三到五年，如今已缩短至两年甚至更短。这不仅体现在主力刻蚀设备的性能提升上，也体现在产品线的快速拓展上。例如，2024年，国产厂商为先进存储和逻辑器件开发的多种新型国产薄膜设备（LPCVD）已顺利进入市场。

【核心技术攻坚】以中微公司和北方华创为代表的中国企业，在刻蚀技术的核心难点上持续投入，实现了从“0”到“1”的跨越。中微公司聚焦电容耦合等离子体（CCP）刻蚀技术，其旗舰产品Primo D-RIE以及升级的Primo AD-RIE，在难度最高的逻辑芯片制造领域取得重大突破。这些设备已批量应用于国际最先进的5纳米及更先进芯片生产线，累计生产付运超过2500个反应台，运行稳定可靠。北方华创则在电感耦合等离子体（ICP）刻蚀领域发力，截至2023年底出货量已突破3200腔，成为国内刻蚀市场的另一支柱。

【市场深度渗透】国产刻蚀设备已成功打入国内外一线大厂的生产线。中微的设备在台积电、三星等国际巨头的先进生产线中批量运转；北方华创的设备广泛应用于国内各大晶圆厂；屹唐股份的设备也已进入三星、长江存储等知名厂商的供应链。刻蚀设备的国产化，已经从最初的“能用”，稳步迈向“好用”和“主流选用”。

【性能比肩国际】国产刻蚀设备的技术实力已获得国际认可。在存储器件领域，国产设备采用创新的技术路线，如引入400KHz大功率偏压射频源，显著提升了离子入射能量和准直性，解决了超高深宽比刻蚀的难题，性能指标达到甚至超越国际竞品。美国商务部在2015年解除了对华等离子体刻蚀机的出口管制，正是对中国刻蚀设备技术实力的侧面印证。

北京三和联科技有限公司在这样的国产化潮中，艰苦创业，坚持自主研发，专注于科研领域市场，面对高校、研究所、失效分析测试平台的特殊需求，推出专用的刻蚀设备，助力我国科研领域的进步。